Компания Toshiba представила модули встраиваемой флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) версии 3.0 емкостью 128 ГБ. По словам производителя, это первые в отрасли подобные модули. В новых модулях используется самая современная 96-слойная 3D флеш-память. Выпускаются модули емкостью 128, а затем появятся модули на 256 и 512 ГБ. Как отмечает производитель, благодаря высокой скорости чтения и записи при низком энергопотреблении такая память подходит для смартфонов, планшетов, а также систем дополненной и виртуальной реальности.
Модули имеют размер 11,5 x 13 мм. Контроллер выполняет коррекцию ошибок, нивелирование износа, трансляцию логических адресов в физические и управление поврежденными блоками, что облегчает разработку систем. Теоретическая скорость работы интерфейса достигает 11,6 Гбит/с на линию и 23,2 Гбит/с для двух линий. Скорость последовательного чтения и записи устройства емкостью 512 ГБ увеличена примерно на 70 и 80 процентов соответственно по сравнению с устройствами Toshiba предыдущего поколения емкостью 256 ГБ.
Toshiba уже начала поставки производителям устройств ознакомительных образцов модулей.